产品介绍
晶圆封装等离子清洗机报价:诚峰智造
全自动On-Line式AP等离子处理系统CRF-APO-500W-XN
名称(Name)
全自动On-Line式AP等离子处理系统
型号(Model)
CRF-APO-500W-XN
电源(Power supply)
380V/AC,50/60Hz
等离子功率(Plasma power)
10KW(Max)/40KHz(Option)
有效处理宽幅(Processing width)
120mm-1200mm(Option)
有效处理高度(Processing height)
3mm~8mm(Max)
处理速度(Processing speed)
0-8m/min
工作气体(Gas)
N2/N2+CDA
产品特点: 内置式冷却系统,提高和保证设备的使用寿命和性能;
灵活On-Line安装方式,电子和离子的能量可达10eV以上,
材料批处理的效率可高于低气压辉光放电装置效率10倍以上。
应用范围:应用于FPC&PCB表面处理,复合型材料,玻璃,ITO等行业领域的表面处理。
晶圆封装等离子清洗机报价
采用低温等离子体(非平衡等离子体)作为能量来源,将工件置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加加热体)将工件加热至预定温度,然后将其通入适量反应气体中,再通过一系列化学反应和等离子体反应,在工件表面形成固体薄膜。包含了化学气相沉积和辉光放电强化等通用技术。
粒子之间的碰撞,会产生强烈的气体离子化,从而激活反应气体。阴极溅射作用同时发生,为沉积薄膜提供了一个具有良好活性的清洁表面。因此,整个沉积过程与仅热活化过程有明显的区别。二者的相互作用,为提高涂层的结合力、降低沉积温度、加快反应速度创造了有利条件。
根据等离子体量源的类型,等离子体化学气相沉积技术分为直流辉光放电、射频放电和微波等离子体放电。当CVD反应频率增加时,等离子体对CVD反应的增强作用越明显,化合物形成的温度降低。
PCVD工艺装置包括沉积室,反应物输送系统,放电电源,真空系统和检测系统。气源用气体净化器去除水份和其他杂质,通过调节装置获得所需的流量,然后与气源同时送入沉积室,在一定温度和等离子体活化等条件下,得到所需的产品,并沉积在工件或基片表面。因此,PCVD的生产过程包含了等离子体物理过程和等离子体化学反应过程。
以上便是诚峰智造低温等离子体技术厂家带来的介绍,希望能帮到您。
全自动On-Line式AP等离子处理系统CRF-APO-500W-XN
名称(Name)
全自动On-Line式AP等离子处理系统
型号(Model)
CRF-APO-500W-XN
电源(Power supply)
380V/AC,50/60Hz
等离子功率(Plasma power)
10KW(Max)/40KHz(Option)
有效处理宽幅(Processing width)
120mm-1200mm(Option)
有效处理高度(Processing height)
3mm~8mm(Max)
处理速度(Processing speed)
0-8m/min
工作气体(Gas)
N2/N2+CDA
产品特点: 内置式冷却系统,提高和保证设备的使用寿命和性能;
灵活On-Line安装方式,电子和离子的能量可达10eV以上,
材料批处理的效率可高于低气压辉光放电装置效率10倍以上。
应用范围:应用于FPC&PCB表面处理,复合型材料,玻璃,ITO等行业领域的表面处理。
晶圆封装等离子清洗机报价
采用低温等离子体(非平衡等离子体)作为能量来源,将工件置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加加热体)将工件加热至预定温度,然后将其通入适量反应气体中,再通过一系列化学反应和等离子体反应,在工件表面形成固体薄膜。包含了化学气相沉积和辉光放电强化等通用技术。
粒子之间的碰撞,会产生强烈的气体离子化,从而激活反应气体。阴极溅射作用同时发生,为沉积薄膜提供了一个具有良好活性的清洁表面。因此,整个沉积过程与仅热活化过程有明显的区别。二者的相互作用,为提高涂层的结合力、降低沉积温度、加快反应速度创造了有利条件。
根据等离子体量源的类型,等离子体化学气相沉积技术分为直流辉光放电、射频放电和微波等离子体放电。当CVD反应频率增加时,等离子体对CVD反应的增强作用越明显,化合物形成的温度降低。
PCVD工艺装置包括沉积室,反应物输送系统,放电电源,真空系统和检测系统。气源用气体净化器去除水份和其他杂质,通过调节装置获得所需的流量,然后与气源同时送入沉积室,在一定温度和等离子体活化等条件下,得到所需的产品,并沉积在工件或基片表面。因此,PCVD的生产过程包含了等离子体物理过程和等离子体化学反应过程。
以上便是诚峰智造低温等离子体技术厂家带来的介绍,希望能帮到您。
上一条:电子光学等离子清洗机设备
下一条:深圳市软土路基塑料排水板详细咨询