九齐NY8A051D芯片供应

1. ���V的工作���:(指令�L期�� 4 ��CPU clock，亦即 4T模式)
2. 2.0V~5.5V@系�y�l率�Q8MHz。
3. 2.2V~5.5V@系�y�l率>8MHz。
4. ���V的工作温度:-40°C ~ 85°C。
5. 1Kx14 bits EPROM。
6. 48 bytes SRAM。
7. 6 根可分�e�为�控制�入�出方向的I/O�_(GPIO)、PB[5:0]。
8. PB[3:0]可�x�褫�入�r使用�冉ㄏ吕��阻。
9. PB[5:4]及PB[2:0]可�x�裆侠��阻或�_漏�O�出(Open-Drain)。
10. PB[3]可�x�癞�作�入或�_漏�O�出(Open-Drain)。
11. 8 �映淌蕉��(Stack)。
12. 存取�Y料有直接或�g接定址模式。
13. 一�M 8 位元上�涤��r器(Timer0)包含可程式化的�l率�A除�路。
14. 一�M 8 位元下�涤��r器(Timer1)可�x重�}�d入或�B�m下�涤��r。
15. 一�� 8 位元的�}�n��度�{��出(PWM1)。
16. 一��蜂�Q器�出(BZ1)。
17. 38/57KHz�t外��d波�l率可供�x�瘢�.佰润电子|||九齐NY8A051D芯片供应
，同�r�d波之�O性也可以根�����作�x�瘛�
18. �冉ㄉ想��臀浑�路(POR)。
19. �冉ǖ��臀还δ�(LVR)。



1. 五�N硬�w中��: Timer0 溢位中�唷� Timer1 借位中�唷� WDT 中�唷� PB �入��B改�中�唷� 外部中�噍�入。


2. NY8A051D在待�C模式(Standby mode)下的五�N�拘阎��: Timer0 溢位中�唷� Timer1 借位中�唷� WDT 中�唷� PB �入��B改�中�唷� 外部中�噍�入。


3. NY8A051D在睡眠模式(Halt mode)下的三�N�拘阎��: WDT 中�唷� PB �入��B改�中�唷� 外部中�噍�入。

1. �冉�看�T狗��r(WDT)，.佰润电子|||九齐NY8A051D芯片供应
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,佰润电子,可由程式�g�w控制�_�P。


2. �p�r��C制，系�y可以�S�r切�Q高速振�U或者低速振�U。


3. 高速振�U: I_HRC (1~20MHz�炔扛咚�RC振�U)


4. 低速振�U: I_LRC (�炔� 32KHz低速RC振�U)


5. 四�N工作模式可�S系�y需求�{整�流消耗:正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待�C模式(Standby mode) �c 睡眠模式(Halt mode)。





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